Hallo iSpindel Spezialisten,
Ich habe einen Versuch für einen
elektronischen Verpolungsschutz für
iSpindeln mit Batteriehalter für ungeschützte 18650 Li-Ion Akkus durchgeführt.
Meine Lösung ist ein N-CH MOSFET Transistor. Der Transistor ist preislich attraktiv und kann obwohl SMD, aufgrund seiner Größe, gut händisch verlötet werden.
Der verwendete Transistor ist ein N-LogL MOSFET IRLR8726PBF im TO-252AA Gehäuse mit einem Innenwiderstand von nur 0,0058 Ohm.
Die VGSth (Gate-Source Threshold Voltage) liegt zwischen 1,35 und 2,35V und kann aufgrund der niedrigen Akku Spannung direkt angesteuert werden.
Im Sleep-Modus liegt der Spannungsverlust bei 0 mV und im Config Modus bei 2,3mV, also vernachlässigbar.
Wenn jemand auf die Idee kommt, bei verkehrt eingelegtem Akku und ausgeschalteter iSpindel das Lademodul zu aktivieren, würde der Akku über den Transistor mit ca. 100mA entladen werden (Tiefentladung). Ohne Verpolungsschutz wäre die iSpindel bereits defekt.
Aus Platzproblemen und um für die Selbstbauer die Assemblierung nicht zu verkomplizieren (zusätzliche Bauteile), würde ich dieses Manko belassen.
Wie seht Ihr das?
Oder gibt es schon eine andere Lösung?
Ich würde ein neues iSpindel-Platinenlayout erstellen, welches ich nach dem Prototyp-Test hier veröffentlichen würde.
Genauere technische Details (gemessene Ströme, Spannungen und Schaltplan) siehe:
https://github.com/hobipivo/iSpindel/bl ... schutz.pdf
Gruß
Christian